

輸入檔:Gerber (RS-274X)、鑽孔檔、IPC-356 網表和製造說明。
工程回顧:
驗證 DFM(可製造性設計):最小走線/間距(例如,HDI 為 3/3 mil)、環形環和阻抗要求。
拼板:添加基準、工具孔和分離標籤(V 形切割或標籤布線)。
基材選擇:
標準:FR-4 (Tg 130°C/170°C),高速:Rogers 4350B (Dk=3.48),柔性:聚醯亞胺。
切割:剪切或 CNC 切割成面板尺寸(例如,18 英寸 ×24 英寸,公差為 ±0.2 毫米)。
乾膜層壓:將感光膠片 (15–25μm) 塗覆在覆銅板上。
曝光:紫外線 (365nm) 將圖稿從攝影工具轉移到膠片上(能量:50–100 mJ/cm²)。
顯影: 碳酸鈉 (1% Na₂CO₃) 去除未曝光的區域,露出銅痕跡。
蝕刻:氨蝕刻劑去除裸露的銅(蝕刻因數 ≥3.0 以控制底切)。
AOI(自動光學檢測):使用 CAD 比較掃描開路/短路(缺陷解析度:1-2μm)。
疊層:用定位銷堆疊內層、預浸料(例如 1080 或 2116 玻璃編織)和外箔。
壓制:在 180–200°C/350–400 psi 下液壓壓制 60–90 分鐘以固化環氧樹脂。
X 射線鑽孔:為後續鑽孔步驟創建定位孔。
機械鑽孔:
鑽頭類型:用於標準孔(最小0.15毫米)的硬質合金鑽頭,用於研磨材料的金剛石塗層。
參數:30,000–150,000 RPM,每個鑽頭的打擊次數 ≤2,000 個孔。
激光鑽孔 (HDI):用於微孔(直徑 0.05–0.1 毫米)的 CO₂/UV 鐳射器。
除膠渣:等離子體或化學處理以去除鑽井碎屑。
化學鍍銅:
催化劑:鈀 (Pd) 活化。
銅厚度:0.3–1.0μm 的導電性。
電鍍:酸性銅浴 (CuSO₄) 以實現 20–25μm 的孔壁厚度。
圖案電鍍:
電鍍錫 (5–8μm) 作為蝕刻膠。
剝離光刻膠並蝕刻裸露的銅(鹼性蝕刻)。
輔助 AOI:驗證跡線寬度/間距合規性。
塗層:通過簾式塗層或噴塗實現液體光成像阻焊層 (LPSM)。
暴露/顯影:透過掩模的紫外線暴露,使用 K₂CO₃ 溶液顯影。
固化:在 150°C 下紅外烘烤 60 分鐘(完全聚合)。
| 類型 | 過程 | 厚度 | 用例 |
|---|---|---|---|
| HASL | 熱風焊料整平 | 信錫:1–25 微米 | 經濟高效,通用 |
| 沉金 | 化學鍍鎳/浸金 | 鎳:3-5μm,金:0.05-0.1μm | BGA,高可靠性 |
| OSP | 有機可焊性防腐劑 | 0.2–0.5 微米 | 保質期短的紙板 |
油墨:環氧樹脂基白色/黑色油墨(UV 固化)。
對位精度:±0.1mm 對準精度。
CNC 銑削:用於板輪廓的 2mm 硬質合金鑽頭(±0.1mm 公差)。
V 型劃線:30° 刀片角度,深度 = 1/3 板厚。
飛針測試:檢查開路/短路(適用於原型)。
夾具測試:用於批量生產的釘床測試儀(測試覆蓋率 >98%)。
QC標準:IPC-A-600 2/3 類(例如,無分層、阻焊層氣泡)。
包裝: 使用乾燥劑、ESD 安全材料真空密封。
阻抗控制:TDR 測試,容差為 ±10%(對 RF/高速至關重要)。
熱應力:3× 在 260°C 下回流以類比裝配條件。
離子污染:<1.56 μg/cm² NaCl 當量(根據 IPC-TM-650)。
| 缺陷 | 根源 | 糾正措施 |
|---|---|---|
| 孔空 | PTH 電鍍不良 | 增加電鍍時間。 |
| 阻焊層剝落 | 受污染的銅表面 | 改進預清潔(等離子/化學)。 |
| Over-Etched Traces | 蝕刻時間/溫度過高 | 調整輸送機速度或蝕刻劑濃度。 |

對於特定要求(例如,HDI 盲孔或厚銅PCB),將集成鐳射燒蝕或階梯電鍍等額外步驟 。如果您需要更深入的技術說明,請告訴我!